Agilent Technologys nya Advanced Design System 2012,för RF- och mikrovågskonstruktion, har fått en rad nya möjligheter, bl a för effektförstärkare med transistorer i GaAs, GaN eller kisel och konstruktion av multichipmoduler.

I den versionen av ADS tillkommer:
* Ett utökat användargränssnitt för ett effektivare och snabbre konstruktionsarbete, bland dem dockningsbara fönster för att snabbt kunna nå ofta använda dialogboxar.
* Uppdaterade guider för load-pull och konstruktion av förstärkare, med möjlig simulering av missanpassning vilket gör det enklare att se förstärkarprestanda vid en given uteffekt eller en viss förstärkning.
* Dramatiskt förbättrad integration med EMPro. Det betyder att konstruktioner i form av 3D-elektromagnetiska komponenter kan lagras som databasceller för att direkt kunna användas i ADS.
* En ny ADS elektro-termisk simulator omfattar dynamiska temperatureffekter för att kunna förbättra noggrannheten av ”termisk varning” vid kretssimulering.
* Man kan ställa in elektromagnetisk simulering av multichipmoduler och simulera med finita elementmetoden vid olika tekniker för att analysera elektromagnetisk interaktion mellan kretsar och förbindningaer, trådbondningar och lödkulor för flip-chip i typiska multichips RF-effektförstärkare.
* I nya ADS blir det möjligt att simulera med de NeuroFET-modeller som tagits fram med Agilents neurala nät. Modellerna extraheras med Agilents programvara för modellering, IC-CAP.
ADS 2012 finns nu för nedladdning på http://www.agilent.com/find/eesof-ads-downloads-and-trials.
Mer information om ADS 2012 finns på http://www.agilent.com/find/eesof-ads2012.

Filed under: Utländsk Teknik