ROHM meddelar att de utvecklat en RBE-serie bestående av sex kompakta Schottky barriärdioder som uppges ha det lägsta värdet på V_F i branschen. Kretsarna är utvecklad för användning i bärbara tillämpningar som kräver större utrymmesbesparingar såsom i smarttelefoner.

Tre av de sex Schottkydioderna med VML2-varianten längst till vänster

Kretsarna finns paketerade i ett antal kapslingar, inklusive den nya ultrakompakta VML2 som mäter 1,0 x 0,6 mm, optimerad för tillämpningar med hög densitet. Den växande trenden mot ökad funktionalitet i smarttelefoner och andra mobila enheter med samtidig bibehållen storlek och bibehållen eller till och med förläng batteritid har lett till en ökad efterfrågan på ultrakompakta komponenter som minskar strömförbrukningen, och då särskilt Schottky barriärdioder som används i nätaggregat, där låg V_F och hög genomsnittlig likriktad ström krävs. Men fram tills nu har en minskning av V_F och åtgärder för att öka kapaciteten resulterat i ökade chipstorlekar, vilket gör miniatyriseringen svår enligt ROHM.

Som svar på det här uppger ROHM att man avsevärt har förbättrat den nuvarande effektiviteten genom en omkonstruktion av diodelementet så att V_F minskar med 32 procent jämfört med konventionella produkter. Detta resulterar i lägre värmeutveckling och högre märkström och möjliggör för mindre kapslingar med en mindre upptagen yta på upp till 80 procent, enligt ett pressmeddelande.

Filed under: Utländsk Teknik