Den transparenta elektronik som pionjärer vid Oregon State University (OSU) tagit fram kan komma att användas för att ersätta vissa icke-flyktiga flashminnen, som närmar sig sin gräns i storlek och lagringskapacitet. De amorfa oxidhalvledare som forskarna vid OSU tagit fram i zink-tennoxid (ZTO) kan komma att användas i TFT och RRAM-tillämpningar.

Forskare vid Oregon State University meddelar att en miljövänlig förening som består av zink-tennoxid har en stor potential för användning i icke-flyktiga minnen. Den nya tekniken baseras på resistans i stället för elektronladdning. Resultaten har nyligen publicerats i facktidskriften Solid-State Electronics.

Detta resistiva RAM-minne, eller RRAM, benämns av vissa forskare också som en ”memristor” och produkter som använder den här tekniken uppges kunna bli ännu mindre, snabbare och billigare än de som baseras på kiseltransistorer – och är dessutom genomskinliga.

– Flash-minnen har tagit oss långt med sin ringa storlek och låga pris, säger professor John Conley vid OSU School of Electrical Engineering and Computer Science. Men flash-minnen närmar sig slutet av sin potential och memristorer är en ledande kandidat för fortsatta prestandaförbättringar.

Memristorer har en enkel struktur, kan programmera och radera information snabbt, och förbrukar liten mängd energi. De åstadkommer en funktion som liknar transistorbaserade flashminnen, men använder en annan metod. Medan traditionella flashminnen lagrar information med en elektrisk laddning, åstadkommer RRAM detta med en elektrisk resistans. Några av de bästa möjligheterna för dessa nya amorfa oxidhalvledare finns dock kanske inte inom nya minneskretsar utan för platta bildskärmar, menar forskarna. Det privata näringslivet har redan visat stort intresse för att använda dem som tunnfilmstransistorer (TFT:er) som styr bildskärmar med flytande kristaller, och en förening som närmar sig kommersialisering uppges vara indium-gallium-zinkoxid.

– Men indium och gallium blir allt dyrare, och zink-tennoxid – även det en transparent förening – visar sig kunna erbjuda bra prestanda till lägre materialkostnader. Och ny forskning visar också att zink-tennoxid inte bara kan användas för TFT:er utan även för memristiva minnen, säger John Conley.

Men även om materialkostnaderna för komponenter byggda med zink-tennoxid är låga menar forskarna att det återstår arbete för att ytterligare undersöka föreningens egenskaper, enligt ett pressmeddelande.

Filed under: Utländsk Teknik