RF Micro Devices, Inc. (RFMD) meddelar att man nu lanserat en ny galliumnitrid (GaN), matchad, 280 W effekttransistor för tillämpningar med pulsad radar, döpt till RFHA1025.

RFMD s RFHA1025 uppges komplettera den nyligen lanserade 380 watts effekttransistorn RF3928B som anges ge den högsta uteffekten i S-Bandet bland RFMD:s familj av matchade effekttransistorer.

RFMD s GaN matchade effekttransistorer uppges ha mindre storlekar och vikt, och förbättra den övergripande robustheten i nya och befintliga radararkitekturer. RFHA1025 fungerar över ett brett frekvensområde (0,96-1,2 GHz) och levererar 280 watt pulseffekt, hög förstärkning >14 dB och hög maximal effektivitet >55 procent. Dessutom uppges RFHA1025:s interna matchning förenkla och krympa konstruktörens kretsar. Transistorn är förpackad i en hermetisk, flänsad keramisk kapsel, enligt ett pressmeddelande.

Filed under: Utländsk Teknik