NXP Semiconductors lanserar nu en nästa generation Schottkydioder med låg framspänning som endast är 0,37 mm tunn och uppges ha ett strömområde på mellan 0,5 – 1,5 A.

[if gte mso 9]><xml> <w:WordDocument> <w:View>Normal</w:View> <w:Zoom>0</w:Zoom> <w:HyphenationZone>21</w:HyphenationZone> <w:DoNotOptimizeForBrowser/> </w:WordDocument> </xml><![endif]Företagets DFN1608D-2 (SOD1608) i plastkapsling hävdas vara de storleksmässigt minsta på marknaden som klarar en ström på upp till 1.5A. DFN1608D-2 omfattar sex Schottkydioder: tre 20 V-varianter optimerade för låg framspänning och tre 40 V-varianter optimerade för låg backström. Genomsnittlig framström uppges vara i området mellan 0,5 och 1,5 A.

SOD1608-kapseln har måtten 1,6 x 0,8mm och har en stor yta i botten för avledning av värme.

Typiska användningsområden som NXP pekar ut är för batteriladdning, bakgrundsbelysning av displayer, switchade nätaggregat (SMPS) och DC/DC-omvandling för små, bärbara apparater. Med 1.5A-varianterna kan dessas användningsområde även utvidgas till att större prylar.

– Dessa kretsar är ett verkligt genombrott när det gäller både miniatyrisering och strömtäthet för konstruktörer av mobila enheter och ger dem funktionalitetsalternativ som tidigare inte fanns tillgängliga i denna storlek. Anpassade till behoven hos ultra-tunna applikationer såsom smartphones har vi skapat den plattaste. blyfria plastkapslingen på marknaden för 1A och däröver, med prestanda som endast finns i komponenter som är mer än fyra gånger större i storlek idag. Denna portfölj är ett annat bra exempel på innovativ, kunddriven design från NXP., säger Dr Wolfgang Bindke, product marketing manager för dioder på NXP Semiconductors.

PMEG2005EPK , 20V, 0.5A och PMEG2010EPK, 20V, 1A finns redan idag i massproduktion. De övriga (PMEG2015EPK, 20V, 1.5A, PMEG4005EPK, 40V, 0.5A, PMEG4010EPK, 40V, 1A och PMEG4015EPK, 40V, 1.5A) finns som provexemplar idag och massproduktion startar enligt företaget i mars 2012.

Filed under: Utländsk Teknik