GaN för supersnabb mobilladdning
Från Navitas Semiconductor kommer en GaN-baserad snabbladare för den smarta telefonen realme GT Neo 3. Laddaren klarar att ladda med 150 W.
GaN-tekniken gör att laddarens storlek är bara 58x55x30 mm stor. Effekttätheten är hela 1,5 W/cm³. Den nya laddaren gör det möjligt att ladda telefonens 4,5 Ah-batteri från 0-50 procent på bara fem minuter.
Filed under: Utländsk Teknik