Två projekt vid Chalmers fick anslag av SSF

Förutom LTH och KTH fick även Chalmers ramanslag av Stiftelsen för Strategisk Forskning (SSF) till två projekt: grafenbaserad högfrekvenselektronik och GaN-baserad elektronik för framtidens mikrovågssystem, under de kommande fem åren.

Mikael Fogelström vid Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap vid Chalmers får 28,5 miljoner för att vidareutveckla grafenbaserad högfrekvenselektronik.


Optiskt foto av en 20GHz G-FET (Fält Effekt Transistor)
i exfolierad grafen tillverkad vid Chalmers.
För projektet Grafenbaserad högfrekvenselektronik.

Niklas Rorsman vid Institutionen för mikroteknik och nanovetenskap vid Chalmers får även han ett ramanslag på 25,2 miljoner kronor för forskningsprojektet GaN-baserad elektronik för framtidens mikrovågssystem.

Comments are closed.