Microchip lanserar en serie små och lätta kraftmoduler i kiselkarbid. Modulerna görs i 700, 1 200 och 1 700 V-varianter och omfattar topologier som dubbeldiod, fullbrygga, fassteg (Phase Leg), dubbel gemensam katod och 3-fas brygga.

Efterfrågan på kiselkarbid-(SiC)-baserade system fortsätter att öka snabbt för maximerad verkningsgrad och minskad storlek och vikt, vilket möjliggör för konstruktörer att skapa nya innovativa kraftlösningar. SiC-teknik utnyttjas i en rad tillämpningar, allt från elfordon och laddningsstationer till smarta elnät och kraftsystem för industri och flygplan. Microchip lanserar därför en utökning av företagets portfölj av mindre, lättare och mer effektiva SiC-kraftmoduler. Tillsammans med företagets breda portfölj av styrkretsar (MCU:er) och analoga produkter tillgodoser Microchip behovet av styrning av kraftsystem, driv- och kraftsteg – vilket ger kunder lösningar för hela system.

Microchips SiC-familj inkluderar kommersiella kvalificerade SBD-(Schottky-barriärdioder)-baserade kraftmoduler i 700, 1 200 och 1 700 V varianter. Den nya kraftmodulfamiljen omfattar olika topologier inkluderande dubbeldiod, fullbrygga, fassteg (Phase Leg), dubbel gemensam katod och 3-fas brygga, utöver att erbjuda olika ström- och kapselalternativ. Tillägget av SiC-SBD-moduler förenklar konstruktionen genom att flera SiC-diodkretsar integreras med möjlighet att blanda olika material på substrat och basplattor i en och samma modul – vilket maximerar switcheffektiviteten, minskar värmeökningen och möjliggör mindre utrymmeskrävande system.

– SiC-teknikens användning och utbredning är en av drivkrafterna för dagens innovationer inom systemutveckling, säger Leon Gross, vice vd för Microchips affärsenhet för diskreta produkter. Vårt fokus fortsätter att vara att leverera tillförlitliga och innovativa lösningar. Vår SiC-teknik ger överlägsen tillförlitlighet och tålighet, från definition till produktlansering, vilket hjälper kraftkonstruktörer att säkerställa att deras tillämpningar fungerar under lång tid utan försämrade prestanda.

Den flexibla portföljen med 700, 1 200 och 1 700 V SiC-SBD-moduler utnyttjar Microchips senaste generation av SiC-kretsar, som maximerar systemens tillförlitlighet och tålighet samt möjliggör stabil och varaktig funktion under lång tid. Kretsarnas höga prestanda möjliggör för systemkonstruktörer att minska behovet av dämpningskretsar (snubbers) och diodens stabilitet gör att konstruktörer kan använda den interna dioden utan försämring på sikt.

Microchips 700, 1 200 och 1 700 V SiC-SBD-kraftmoduler finns nu att beställa. Den kompletta SiC-portföljen stöds av en rad olika SiC SPICE-modeller, referenskonstruktioner för SiC-drivkort och en PFC Vienna referenskonstruktion. SiC-produkterna finns i tillverkningsvolymer tillsammans med tillhörande sortiment av stödprodukter. En rad olika krets- och kapselalternativ finns för SiC-MOSFETar och SiC-dioder.

Filed under: Utländsk Teknik