Av fyra nya SiC FET har en av dem R_{DS (on)} som är mindre än 7 mohm. Därför passar de bra för spänningsomvandlare för bilar, batteriladdare och halvledarbestyckade bromsar.

Av de fyra nya är en märkt 650 V/7 mohm medan tre av dem tål 1200 V med 9 och 16 mohms serieresistans. Alla är kapslade i TO247.

De nya transistorerna från United SiC kombinerar egenskaperna från tredje generationens SiC FET och en kaskodoptimerad Si MOSFET. Kretskonfigurationen skapar en snabb komponent som kan drivas med samma gate-spänning som Si IGBT, Si MOSFET och SiC MOSFET.

Förutom att de tål hög temperator har de ett hölje, TO247, som monteras med låg temperaturresistans tack vare sintring med silver.

– Viktigt är att vi har uppnått branschens lägsta R_{DS (ON)} för alla komponenter i den här klassen, förklarade Anup Bhalla, utvecklingschef vid UnitedSiC.

– Dessa SiC FET kan användas som drop-in-ersättare för mindre effektiva delar i en mängd olika applikationer, med liten eller ingen designinsats.

Som exempel kan en SiC FET används för att bygga en synkron likriktare för att ersätta sekundärsidans dioder. Vid exempelvis 100A driftsström, med en 50 procents arbetscykel, kommer en JBS-diod att ha ledningsförluster på nästan 100W, men med den nya transistortypen som synkron likriktare kommer likriktaren att ha ledningsförluster på bara 45W.

Filed under: Utländsk Teknik