Årets viktiga konferens om halvledare i kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN),  SCAPE 2019, äger rum den 13-14 maj Radison Blue Royal Park Hotel I Stockholm. En tutorial genomförs dagen innan hos RISE Acreo i Kista.

Konferensen anordnas, liksom under tidigare år, i ett samarbete mellan RISE, WBG power center (Acreo Swedish ICT, Swerim, KTH samt industripartners), Yole développement och Energimyndigheten.

Konferensen leds av professor Mietek Bakowski, RISE.
Programmet kommer inom kort att presenteras på https://www.ri.se/en/scape-2019

Konferensen om brett bandgap hette från början ISICPEAW, International Silicon Carbide Power Electric Applications Workshop och fick under namnet 2017 namnet IWBGPEAW, International Wide BandGap Power Applications Workshop, med tanke på ett allt större inslag av galliumnitrid, GaN. Förra året ändrades namnet till det mer uttalbara SCAPE, Silicon Carbide Applications Power Electronics.

Filed under: SvenskTeknik