Samsung har börjat massproducera marknadens första 512 Gbyte stora eUFD-lösning för mobiltelefoner. Den lilla komponenten består av åtta stackade chip med vardera 64 lager.

Samsungs senaste 64-lagers V-NAND-chip rymmer 512 Gbit i 64 processlager. Den nya komponenten innehåller åtta sådana chip plus styrlogik för eUFD, stackade i en liten kapsel.
– Den här lösningen tar oss runt prestandabegränsningarna hos SD-kort, säger Jaesoo Han, executive vice president för Memory Sales & Marketing hos Samsung Electronics. Det är den klart bästa lagringsstandarden för avancerade mobiltelefoner.
Den nya komponenten har dubbelt så hög kapacitet som Samsungs tidigare största eUFD-minne. Dubbelt så många celler ger förstås högre energiförbrukning, men teknikerna hos Samsung har lagt mycket tid på att minimera ökningen. De har också tagit fram en ny teknik för att snabbare konvertera logiska blockadresser till fysiska adresser.
Också läs- och skrivprestanda är förbättrade. Sekventiell läsning upp till 860 Mbyte/s och sekventiell skrivning upp till 255 Mbyte/s ger överföringstider mer än åtta gånger högre än ett typiskt microSD-kort. Ett videoklipp på 5 Gbyte kan skickas på bara sex sekunder.
Den nya komponenten klarar dessutom random-operationer på ca 42 000 IOPS vid läsning och 40 000 IOPS vid skrivning. Det är ungefär 400 gånger snabbare än ett microSD-kort.

Filed under: Utländsk Teknik