Norstel AB i Norrköping ställer på ICSCRM 2017 i Washington ut 100 mm och 150 mm wafers i kiselkarbid.

– Vi kan nu visa upp 150 mm 4H SiC-wafers med en en densitet av ”micropipes” mindre än 0,2 cm^-2 och dislokationer (Threading Screw Dislocation, TSD) som ligger under 500 cm^-2. Därmed demonstrerar vi att vi kan ge den kvalitet som borgar för ett högt processutbyte, säger dr Alexandre Ellison, CTO för Norstel AB.

Företaget har sedan en tid prioriterat waferkvalitet för att kunna ta steget till nästa storlek, från 100 till 150 mm. De första proverna kommer att kunna levereras till kund senast under första kvartalet 2018.

Ronald Vogel, COO inom Norstel säger:
– Vårt utvecklingsprogram för SiC Perfection, som genomförts under de senaste åren, har gjort det möjligt för oss att uppnå en ledande position när det gäller högkvalitativa SiC-wafers. Med steget till 150 mm har vi nu lyckats nå en ledande position i fråga hög kvalitet. Mot bakgrunden av den växande efterfrågan på SiC-baserade energieffektiva kraftelektroniklösningar kan vi nu uppfylla de behov som SiC-komponent och SiC–modultillverkare står inför vid applikationer som PV, EV/HEV, infrastruktur för laddnings, tåg, energilagring och många tillämpningar. SiC-wafers med större diameter och lägre defektdensitet gör det möjligt för dem att öka effektivitet och produktionsutbyte för att uppnå de volymer kunderna förväntar sig.

Filed under: Utländsk Teknik