Arrow Electronics, Nexperia och Yageo har tagit fram en referenskonstruktion av ett GaN-baserat 4 kW kraftaggregat. Aggregatet visas nu på PCIM Europe i Nürnberg.

Referenskonstruktionen är komplett med full dokumentation och materiallista, Kunder kan fritt använda konstruktionen som den är eller modifiera den för att passa bättre i de egna tillämpningarna. Typexempel på användningsområden är inom sol- och vindenergi, industrirobotar, HVAC, ATM, UPS och generell industriautomatik men det finns också en mängd andra tänkbara tillämpningar.

– Referenskonstruktionen passar väl in i trenden att gå till GaN-transistorer vid tillämpningar över 1 kW, säger Vitali Damasevich från Arrow Electronics. Genom att använda de senaste GaN-FETarna och anpassade passiva komponenter har vi kunnat öka både verkningsgrad och effekttäthet. Konstruktionen är betydligt mindre än en traditionell MOSFET-baserad omvandlare.

Kraftaggregatet är baserat på GaN-effekttransistorn GAN039-650NTB från Nexperia och konstruktörerna har samarbetat med Yageo för att ta fram specifikationer för transformator och induktorer. Transformatorn är specialtillverkad med två isolerade utgångar som driver den integrerade styrelektroniken. Även LLC-induktorn är specialtillverkad. Aggregatet arbetar med 500 kHz omvandlingsfrekvens, en arbetsspänning på 48 V och 80 A strömstyrka.

Filed under: Utländsk Teknik