Samsung har dragit igång massproduktionen av sitt första tredimensionella flashminne med 32 vertikalt stackade cellager. Minneskomponenten kommer bland annat att användas i SSD-minnen upp till 1 Tbyte.

Samsung startade redan förra året massproduktion av sitt första tredimensionella flashminne, då med 24 stackade lager. De komponenterna används i den senaste generationens SSD-minnen med storlekar upp till 513 Gbyte. Den nya generationen V-NAND-komponenter använder i grunden samma produktionsteknik som första generationen och ger därför ett klart bättre produktionsutbyte.
Tredimensionella flashminnen med vertikalt stackade cellager är en teknik som väntas ta över en stor del av flashminnesmarknaden. Teoretiskt är det möjligt att stacka betydligt fler lager än i dagens minnen och på det sättet framställa flashminnen med mycket stor kapacitet.
Produktionstekniken bakom V-NAND är inte heller särskilt dyr och skiljer sig inte dramatiskt från normal halvledarproduktion. De nya lagren adderas på ett och samma kiselsubstrat och tekniken har alltså inget att göra med stackade chip. V-NAND-tekniken är däremot inte direkt överförbar på konventionell digital logik eller RAM.
Enligt Samsung ger V-NAND-tekniken ungefär dubbelt så bra skrivprestanda och 20 procent lägre energiförbrukning jämfört med vanliga MLC NAND-minnen i planarteknik.
En rapport från Gartner räknar med att NAND-flashminnen kommer att öka sin andel av minnesmarknaden till över hälften 2017. Det innebär ca 44,6 miljarder dollar på en total minnesmarknad om knappt 80 miljarder dollar 2017.

Filed under: Utländsk Teknik