RFDM har kvalificerat sin första transistor i galliumnitrid (GaN) för massproduktion.

RF3931 är en 48 V 30 W GaN RF-transistor för kommersiella och militära applikationer. Transistorn har levererats till ett flertal tillverkare av högeffekts radioslutsteg. Leveranserna väntas öka avsevärt i takt med att flera GaN-produkter lanseras.
RFMD tillverkar sina GaN-transistorer i samma produktionsanläggningar som för GaAs-halvledare.
– Vi tror att vår GaN-teknologi kommer att bli banbrytande över hela marknaderna för kommersiella och militära tillämpningar, säger Bob Bruggeworth, CEO vid RFMD.
RF3931 är den första i en serie GaN-effekttransistorer där efterföljare planeras för effekter mellan 10 och 120 W.

Filed under: Utländsk Teknik