Det senaste SRAM-blocket från brittiska SureCore klarar upp till 20 MHz med bara 0,6 V matningsspänning. Resultaten har testats med TSMCs 40 nm CMOS-process TSCM40ULP.

Minnesblocket kan arbeta med matningsspänningar från 0,6 V upp till 1,21 V. Vid 1,21 V ökar den maximala frekvensen till över 300 MHz, men det är ändå lågspänningsprestanda som är viktigast. Den dynamiska energiförbrukningen minskade med upp till 80 procent och den statiska med upp till 75 procent.
– Vanliga SRAM är inte tillförlitliga under 0,9 V, men våra minnen klarar lika låga spänningar som logiken, säger Guillaume d'Eyssautier, ordförande i SureCore. På det sättet blir det möjligt att sänka energiförbrukningen mycket kraftigt och ändå låta konstruktionen fortsätta arbeta.
Minneskapaciteten kan vara från 8 kbit upp till 576 kbit, med stöd för både DFT och BIST, Genom att implementera blocken i TSMCs 40ULP-process har läckströmmarna kunnat minimeras.

Filed under: Utländsk Teknik