150 W HEMT i GaN på SiC

Från M/A-COM kommer nu en bredbandig, icke impedansanpassad transistor HEMT med över 1-2500 MHz bandbredd och hög förstärkning. Den är byggd i galliumnitrid på en wafer av kiselkarbid och är avsedd för pulsade tillämpningar.

MAGX-000025-150000 är guldmetalliserad och kan ge 150 W uteffekt med 18 dB förstärkning och 58 procents verkningsgrad. Komponenten klarar också höga toppspänningar vilket kan ge en tillförlitlig och stabil drift under mera extrema driftsvillkor.
Komponenten har en ”Gemini”-kapsel med fyra anslutningar (två transistorer ingår) för att tillåta bredbandig impedansanpassning. Paul Beasly, produktansvaring hos M/A-COM framhäver kapslingstypens fördelar:
– Komponenten kan konfigureras i push-pull för bredbandig lågdistorsionsdrift, eller arbeta i single-mod för att ta mindre plats.
MTBF anges för MAGX-000025-150000 vara 600 år.
Impedanserna (per sida) i en testfixtur framgår nedan:

 

Comments are closed.