128 Gbit-minnen i massproduktion
Samsung meddelar idag att man har dragit igång massproduktionen av sina nya 128 Gbit NAND-flashminnen. Produktionsanläggningen använder geometrier under 20 nm och komponenterna använder multilevel-celler med tre bit per cell.
– De nya flashkomponenterna är kritiska vid utvecklingen av nya massminnen, säger Young-Hyun Jun, marknadsansvarig för Samsungs minnesdivision. Vi blir nu ännu mer konkurrenskraftiga på den marknaden.
De nya minneskomponenterna baseras på multilevel-teknik med tre bit per cell och tillverkas i företagets allra senaste process i 10 nm-klassen. Det innebär att de finaste geometrierna ligger mellan 10 och 20 nm. Komponenterna klarar överföringshastigheter på 400 Mbit/s, vilket är viktigt i SSD-sammanhang.
Baserat på de nya komponenterna kommer Samsung också att leverera minneskort med 128 Gbyte och SSD-diskar i storlekar över 500 Gbyte.
Filed under: Utländsk Teknik