Samsung har börjat massproducera sin senaste generation av tredimensionella flashminnen med multilevelteknik. 32 lager och tre bit per cell ger totalt 128 Gbit per chip.

Samsung ökade för en tid sedan antalet lager i sitt mest avancerade 3D-flashminne (VNAND) från 24 till 32. Genom att gå över från en till tre bit per cell ökar den totala kapaciteten ytterligare.
3D-tekniken för flashminnen innebär inte att flera chip stackas på varandra. Alla steg görs på ett och samma substrat och i en och samma process. 32 lager är inte någon varken teoretisk eller praktisk gräns, så vi kommer förmodligen att få se komponenter med mer än 100 lager i framtiden.
Därför visar Samsungs nya minneskomponenter vart massminnesmarknaden är på väg.
– Den här klassen av minneskomponenter kommer att accelerera övergången från hårddiskar till SSD-minnen, säger Jaesoo Han, Senior Vice President, Memory Sales & Marketing, Samsung Electronics. Vi får se massor av mycket stora SSD-enheter, både för servermarknaden och för konsumentmarknaden.

Filed under: Utländsk Teknik