1200 V JFET i kiselkarbid från Infineon
En ny familj effekttransistorer från Infineon tillverkas i kiselkarbid. Transistorfamiljen, som kallas CoolSiC, presenterades på PCIM i Nürnberg.
Den nya JFET-teknologin tar främst sikte på att användas i invertrar för solceller. Med JFET i kiselkarbid uppnår man väsentligt lägre switchförluster, jämfört med IGBT i kisel, och switchfrekvenserna tillåts vara betydligt högre. Det gör det möjligt att använda mindre passiva komponenter som transformatorer, drosslar och kondensatorer.
För att se till att skapa säkra lösningar med JFET, som i normaltillstånd är ledande ( ”normally-on”) har Infineon utvecklat ett koncept som kallas direktdrivningsteknik. I detta koncept kombineras JFET med en yttre lågspännings MOSFEToch en specialutvecklad drivkrets som ger en säker start och en snabb och kontrollerad switchning.
CoolSiC JFET har en monolitiskt integrerad ”body diode” med switchprestanda som motsvarar en yttre SiC Schottkydiod.
Provkvantiteter av JFET och drivkrets kommer under innevarande kvartal, med en upprampning av produktionen under första halvåret 2013. Prissättningen för iJW120R100T1 (100 mOhm) kommer att bli $24:90 i tusenkvantiteter.
Filed under: Utländsk Teknik